Remerciez-le!

Remerciez @Admin pour avoir partagé cet document gratuitement, de la manière la plus simple, en partageant sur les réseaux sociaux.

Chap7 sc de puissance le mosfet pdf

Electronique de puissance LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE Chapitre DEUXIÈME PARTIE LE MOSFET CD ELP Cours Chap M Correvon C CTA B L E D E S M AT I E R E S PAGE LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE LE MOSFET HISTORIQUE LE MOSFET EN MODE INTERRUPTEUR STRUCTURE DU MOSFET Structure latérale Structure verticale CAS PARTICULIER DU DMOSFET MODE DE FONCTIONNEMENT DU MOSFET Processus de formation du canal Comportement à l'état ouvert Comportement à l'état fermé caractéristique statique ID f VDS VGS Éléments parasites Diode et transistor Capacités parasites Drain ?? Source résistance Limitation dynamique en commutation État ouvert bloqué État fermé conducteur Avertissement Grandeurs nominales de sélection Tension Drain-Source UDS Résistance Drain-Source à l'état passant RDSON Courant de Drain en DC ID Limites maximales d'utilisation Absolute maximum ratings Courant de Drain ID et IDpulse Tension Grille-Source VGS Puissance maximale dissipée Température maximale de jonction en fonctionnement Tjmax Température maximale de stockage Énergie d'avalanche Caractéristiques statiques Caractéristique V BR DSS f TJ Caractéristique ID f VDS VGS Tension Grille-Source de seuil VGS th f TJ Courant de fuite de Drain à l'état bloqué IDSS Courant de fuite de Grille IGSS Résistance RDSON à l'état passant Résistance équivalente d'entrée Caractéristiques dynamiques Caractéristique de transfert ID f VGS Mesures des capacités parasites Condensateurs parasites Caractéristique de transfert de charge Transfert des charges Énergie fournie par la commande Estimation des temps de commutation Temps de commutation Énergie dissipée en conduction et en commutation Diode intrinsèque Courant continu passant IS Courant impulsionnel maximum ISM Tension de passage dans le sens direct VSD Temps trr et charge Qrr de recouvrement Courant inverse maximum Irrm Décroissance maximale du courant d'extinction dIrr dt Bibliographie C CLES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE LE MOSFET Page LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE LE MOSFET HISTORIQUE La théorie sur les transistors à e ?et de champ Field E ?ect Transistor a été conçue dans les années ?? soit ans avant que le transistor bipolaire Bipolar Junction Transistor fut inventé A cette époque J E Lilienfeld USA propose un modèle de transistor basé sur le contrôle du courant par l'application d'un champ électrique Par manque de matériaux semiconducteurs appropriés et d'une technologie immature le développement de ce type de transistor fut très lent William Shockely proposa un premier transistor JFET en Les premiers produits industriels ?rent dé ?nitivement leur apparition dans les années LE MOSFET EN MODE INTERRUPTEUR Le transistor MOSFET est un interrupteur unidirectionnel en tension et bidirectionnel en courant iQ fermeture commandée ouverture comandée inversion du uQ courant Figure - Représentation du MOSFET sur la forme d'un interrupteur STRUCTURE DU MOSFET Structure latérale Les points de contacts du Drain de la Grille et de la Source sont placés sur la même face de la pastille de silicium Une telle structure est très facilement intégrable mais ne permet pas d'obtenir un transfert de puissance élevé puisque la distance entre Source et Drain doit être large pour obtenir une bonne tenue en tension inverse alors que la capacité en courant est inversement proportionnelle à cette longueur