Tp no 2 d x27 electronique analogique 2
BINOME IGUELDISSEN MAOUSSILI Hamid jamila INE Année universitaire C -BUT L ? objectif de cette manipulation est d ? étudier les montages ampli ?cateurs fondamentaux à base de transistors bipolaires en relever expérimentalement les di ?erents paramètres ampli ?cation résistances d ? entrée et de sorties et déphasage à vide et en charge -MANIPULATION A- Montage émetteur Commun Montage Le montage Emetteur commun est représenté sur le schéma suivant Etude en régime statique ? Etude théorique On polarise le transistor la source variable n ? étant pas appliquée cherchons les ? coordonnées ? du point de repos Le courant Ib étant très faible on calcule le générateur de Thevenin vu entre les Points B et M Eth Vcc R R R V et Rth R R K On a donc Ib Eth ?? Vbm Rth Eth ?? Vbe-Re ? Ib Rth Eth-Vbe- ? IbRe Rth On en tire Ib Eth ?? Vbe Rth ? Re Rth A N Ib A Ic ? Ib Ic mA Vce Vcc- Rc Re Ic Vce V C ? ? ? ? Etude pratique Les mesures des courants doivent être par un milliampermetre dont on ne dispose pas donc on mesurera les tensions et on déduit les courants par loi d ? Ohm on signale que l ? incertitude des mesures sera plus importante car l ? erreur commise portera sur la mesure de la tension ET aussi sur de sa division sur la résistance qui n ? est pas tout à fait exacte ? Important La masse de l ? oscilloscope et celle du montage sont liées à la terre du réseau donc toutes les mesures doivent s ? e ?ectuées par rapport à la masse du montage autrement l ? un des éléments du montage serait court-circuité En e ?et si on mesurait Vce directement donc on porte l ? émetteur à la masse de l ? oscillo on voit clairement que Re serait court- circuitée On e ?ectue les di ?erentes mesures et on trouve Vce Vbm ?? Vem - V Vbe Vbm ??Vem - V Ic Vcc ?? Vcm Rc mA Ib Vcc ?? Vbm R ?? Vbm R A ? ? Commentaire Les résultas obtenus sont relativement proches des attentes théoriques d ? autre part le fait d ? e ?ectuer une double mesure ne fait qu ? augmenter l ? incertitude On remarque que la tension Vce et le courant Ic sont proche des valeurs données par le document constructeur du transistor fourni en annexe dans les conditions ambiantes comme celles de notre manipulation ? on peut donc accepter que le transistor est bien polarisé Etude en régime dynamique On attaque l ? entrée du montage par une tension sinuso? dale de fréquence kHz on observe le signal de sortie et on augmente la tension d ? entrée jusqu ? à la limite de saturation qui se traduit par l ? écrêtage de vs ? Pour mesurer l ? ampli ?cation Av du montage à vide ou en charge
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- Publié le Jui 10, 2022
- Catégorie Industry / Industr...
- Langue French
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