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Fiche de lecture des diodes pin d x27 avago2

Note de lecture Titre du document Auteur Date apparition résumé Low Cost Surface Mount Power Limiters Avago technologies juillet techniques de conception des limitteurs de puissance low cost opérant à moins de GHZ techniques circuits Surfaces Mount Design SMD Annulation des inductances parasite Chainage des diodes limiteurs espacement de ? lambda CI- caractéristiques des limitteurs La qualité des limitteurs est mesurée par les caractéristiques suivantes Faible pertes d ? insertion dans la bande de fonctionnement du circuit à protéger haute perte pour les signaux excédant les seuils de puissance toléré par le circuit à protéger reponse rapide de l ? ordre de nanoseconde à l ? arrivée des signaux dépassant le seuil limite de puisasnce retour à l ? état de fonctionnement normal dès que la puissance des signaux arrivées est en dessous de seuil accepté II- Principe de base de diode limitteur de type PIN Les diodes PIN sont constitués de trois couches couche dopé positive P couche intrinsèque faiblement dopé et de largeur W très petite couche dopé négatif N La diode est alimenté par un courant DC dans le sens de polarisation directe quand le courant passant par la diode est en dessous d ? une valeur seuil la diode acte comme une capacité de faible valeur et une résistance très grande par conséquent la puissance dissipé est très faible Quand le courant dépasse le seuil le seuil de la diode est dé ?ni par la largeur de la zone intrinsèque et le dopage des couches P et N les charges électriques électrons et trous sont poussés vers la zone intrinsèque et par conséquent la diode devient équivalent à une résistance de faible valeur et permet ainsi de dissiper la puissance électrique Schéma d ? un limitteur de puissance à base de diode PIN La largeur typique de la zone intrinsèque est de m à m si la largeur est petite le seuil de la diode est réduit et la réponse de la diode est rapide par contre la tension de claquage serait être réduite Si la largeur est plus grande la réponse de la diode est lente CLe document présente un schéma de paramètre d ? atténuation en fonction de la largeur de la couche intrinsèque III- prise en compte du package Les caractéristiques ?nales de la diode dépendent aussi de packaging de la diode dans le circuit La température maximal de la jonction et la résistance thermique entre la jonction et l ? aire ambiant impacte les performances de la diode La puissance dessipé Pd par la diode peut être estimé en fonction de la résistance thermique du package la température maximale de la jonction Tjmax et la température ambiante Ta comme suit Pd Tjmax-Ta resistance thermique du package Les inductances induites par les connexions et jonctions in uencent les performances de la diode perte d ? insertion fréquence de fonctionnement et temps de réponse Le packaging ideal doit respecter les performances suivantes - broadband - resistance thermique faible - assemblage facile - coût réduit