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BINOME : * IGUELDISSEN Hamid * MAOUSSILI jamila INE 1 Année universitaire : 200

BINOME : * IGUELDISSEN Hamid * MAOUSSILI jamila INE 1 Année universitaire : 2005 /2006 1-BUT : L’objectif de cette manipulation est d’étudier les montages amplificateurs fondamentaux à base de transistors bipolaires : en relever expérimentalement les differents paramètres (amplification, résistances d’entrée et de sorties,et déphasage ) à vide et en charge . 2-MANIPULATION : 1) Montage : Le montage Emetteur commun est représenté sur le schéma suivant : 2) Etude en régime statique :  Etude théorique : On polarise le transistor, la source variable n’étant pas appliquée, cherchons les ‘coordonnées’ du point de repos : * Le courant Ib étant très faible , on calcule le générateur de Thevenin vu entre les Points B et M : Eth=Vcc R2 / (R1+R2) =2,30 V ; et Rth = R1//R2 =5,75 K. On a donc : Ib = (Eth – Vbm) /Rth =(Eth – Vbe-Re(ß+1)Ib)/Rth ~(Eth-Vbe-ßIbRe)/Rth On en tire: A- Montage émetteur Commun Ib=(Eth – Vbe)/[Rth(1+ß Re/Rth)] A.N. : Ib =15,78µA Ic=ß Ib Ic =2,36 mA Vce =Vcc-(Rc+Re)Ic Vce=4,16 V    Etude pratique : Les mesures des courants doivent être par un milliampermetre dont on ne dispose pas ! donc on mesurera les tensions et on déduit les courants par loi d’Ohm , on signale que l’incertitude des mesures sera plus importante, car l’erreur commise portera sur la mesure de la tension ET aussi sur de sa division sur la résistance qui n’est pas tout à fait exacte !!  Important : La masse de l’oscilloscope et celle du montage sont liées à la terre du réseau , donc toutes les mesures doivent s’effectuées par rapport à la masse du montage , autrement, l’un des éléments du montage serait court-circuité. En effet ,si on mesurait Vce directement ,donc on porte l’émetteur à la masse de l’oscillo ,on voit clairement que Re serait court-circuitée ! On effectue les differentes mesures et on trouve :  Commentaire : Les résultas obtenus sont relativement proches des attentes théoriques ;d’autre part, le fait d’effectuer une double mesure ne fait qu’augmenter l’incertitude . On remarque que la tension Vce0 et le courant Ic0 sont proche des valeurs données par le document constructeur du transistor (fourni en annexe) dans les conditions ambiantes (comme celles de notre manipulation …), on peut donc accepter que le transistor est bien polarisé . 3) Etude en régime dynamique : On attaque l’entrée du montage par une tension sinusoïdale de fréquence 1 kHz, on observe le signal de sortie et on augmente la tension d’entrée jusqu’à la limite de saturation, qui se traduit par l’écrêtage de vs. • Pour mesurer l’amplification Av du montage (à vide ou en charge ), on fait le rapport de Vemax et de Vsmax • Pour mesurer la résistance d’entrée ou de sortie , on utilise la méthode de « demi- tension » exposée en annexe du polycopier du TP . On range les résultas obtenues ainsi que les résultas prévues (théorique)dans le tableau ci-dessous : Vce0 =Vbm – Vem =5 -1,8 =3,2 V Vbe0= Vbm –Vem = 2,3- 1,8 =0,5 V Ic0=(Vcc – Vcm)/Rc = 2,56 mA Ib0 = (Vcc – Vbm) /R1 – Vbm /R2 = 17,80 µA 4) Conclusion : Les résultats pratiques ne coincide pas tout à fait avec les résultats prévus théoriquement , cepondant , on peut tolérer les differences qui sont pas beaucoup importantes vu les incertitudes dues à la manipulation et aussi aux composant qui ne sont pas données par précision comme l’indique le document constructeur du transistor BC107B . On constate que ce montage (pour lequel les tensions d’entrée et de sortie sont en opposition de phase ) présente une grande amplification , qui augmente avec la résistance de charge et tend vers Av0 ; quant aux résistance d’entrée et de sortie ,elles sont de valeurs moyenne .le montage émetteur commun est un montage amplificateur . ********************************************************************* 1) Montage : Le montage Collecteur commun est représenté sur le schéma suivant : 2) Etude en régime statique : En poursuivant les mêmes démarches que pour le montage émetteur commun (en prenant Rc=0), on détermine le point de fonctionnement statique du transistor : Av Rentrée Rsortie Dephasage théori que prati que théor ique prati que théor ique pratiq ue théori que Pratiqu e A vide -213,93 -250 2,62K 3,1K 3,9K 2,85K П П RL=100 -5,87 -6 2,62K 3,1K 3,9K 2,85K П П RL=1K -48,08 -57,4 2,62K 3,1K 3,9K 2,85K П П B- Montage collecteur commun Ib = 61,34 µA Ic =9,20 mA Vce =5,79 V  Pratiquement : On mesure compte tenu des raisons précitées pour le cas d’un émetteur commun :  Commentaire : On remarque que le courant Ib est trop different du résultat théorique ,ceci est normal car comme on mesure une grandeur de très faible valeur par des instruments qui ne sont pas ‘parfaits’ ,donc la marge d’erreur est conciderable . Pour autres valeurs sont acceptables ; aussi, on peut accepter que le transistor est bien polarisé . En effet , les coordonnées du point de repos sont loins des points de fonctionnement du transistor ,à savoir le blocage et la saturation . 3) Etude en régime dynamique : On attaque l’entrée par un signal sinusoïdal de fréquence 1kHz et d’amplitude n’entraînant pas la saturation du montage, les differents résultats obtenus ainsi que les attentes théoriques sont rassemblés dans le tableaux suivant : * : Rsortie ne dépend pas de la charge . 4) Conclusion : Les tensions d’entrée et de sortie sont pratiquement confondues : amplification unitaire et déphasage nul ; la résistance d’entrée est d’une grande valeur et celle de sortie est très faible. Ce montage est utilisé en tant qu’adaptateur d’impédance ,c’est pour cette raison qu’on le rencontre souvent à la sortie d’une chaîne amplificatrice qui alimente un montage à faible impédance (par exemple haut parleur …) ********************************************************************* Vbe0= Vbm – Vcm = 8 -7,5 =0,5 V Vce0 =Vcc -Vem = 15- 7,5 = 7,5 V Ib0 = (Vcc – Vbm)/R1 – Vbm/R2 = 0,15 mA Ic0 = Vem /Re – Ib = 7,34 mA Av Rentrée Rsortie Déphasage théor ique prati que théor ique Prati que Théori que* pratiq ue théori que Pratiqu e A vide 1 ~1 18,60K 26K 16,22 21,95 0 0 RL=100 ~1 ~1 12,14K **** 16,22 ***** 0 0 RL=1K ~1 ~1 17,53K **** 16,22 ***** 0 0 1) Montage : Le montage Base commune est représenté sur le schéma suivant : 2) Etude en régime statique : En poursuivant les mêmes démarches que pour le montage émetteur commun , on détermine le point de fonctionnement statique du transistor : Ib = 14,47 µA Ic=2,21 mA Vce =4,86 V  Pratiquement : On mesure compte tenu des raisons précitées pour le cas d’un émetteur commun :  Commentaire : On remarque que le courant Ib est trop different du résultat théorique ,ceci est normal car comme on mesure une grandeur de très faible valeur par des instruments qui ne sont pas ‘parfaits’ ,donc la marge d’erreur est conciderable . Pour C- Montage base Commune : Vbe0= Vbm – Vem = 2 – 1,4 =0,6 V Vce0 =Vcm-Vem = 5,6- 1,4 = 4,2 V Ib0 = (Vcc – Vbm)/R1 – Vbm/R2 = 36µA Ic0 = Vem /Re – Ib = 2,02 mA autres valeurs sont acceptables ; aussi, on peut accepter que le transistor est bien polarisé . En effet , les coordonnées du point de repos sont loins des points de fonctionnement du transistor ,à savoir le blocage et la saturation . 3) Etude en régime dynamique : On attaque l’entrée par un signal sinusoïdal de fréquence 1kHz et d’amplitude n’entraînant pas la saturation du montage, les differents résultats obtenus ainsi que les attentes théoriques sont rassemblés dans le tableaux suivant : : * :Rentrée et Rsortie ne dépendent pas pour ce montage de la charge . 4) Conclusion : On constate que ce montage présente à peu près la meme amplification que celle de l’émetteur commun conformément à la théorie . cepondat , la résistance d’entrée est faible alors que celle de sortie est grande , les tensions d’entrée et de sortie sont cette fois en phase . ************************************************** 3 – Conclusion de la manipulation : Le tableau suivant permet de comparer les differents montages étudiés : Emetteur commun Collecteur commun Base commune Av grand unitaire Grand Rentrée Moyenne Très grande Très faible Rsortie Moyenne Très faible Grande déphasage П 0 0 Av Rentrée Rsortie Déphasage théor ique prati que Théor ique* prati que théor ique Pratiq ue* théori que Pratiqu e A vide 213,93 200 16,42 19 4,67K 5K 0 0 RL=100 5,87 5,88 16,42 **** 4,67K **** 0 0 RL=1K 48,08 44,44 16,42 **** 4,67K **** 0 0 uploads/Litterature/ tp-no-2-d-x27-electronique-analogique 1 .pdf