CR TP ELECTRONIQUE ANALOGIQUE FILIERE : GSE Réalisé par : Encadré par : ANAS AL
CR TP ELECTRONIQUE ANALOGIQUE FILIERE : GSE Réalisé par : Encadré par : ANAS ALLA Mme IMANE HALKHAMS MOHAMED BOUKHOU AMINE EL GHINANY Année universitaire :2022 /2023 1 Question 1 : Question 3 : La tension de claquage est de 16 V Question 4 : Le transistor se comporte comme une résistance 2 Question 5 : Le transistor se comporte comme un générateur de courant Question 6 : Le transistor se comporte selon les réglages de constructeur vdsmax Question 7 : Le point de polarisation :vds=9.2 et ids=0,23 Vgs =1,4 (voir le graphe) Question 8 : Rds=Vds/Ids a.n 9 ,2/0,23=40 ohm Question 9 : On remarque que la est presque linéaire le courant Ids augmente proportionnellement avec la tension Vgs Question 10 : 3 De même pour le transistor double grille Rds=Vds/Ids=9200/0.451=20.4 ohm 4 On remarque que La résistance de l’état normal est le double de l’état double grille Question 11 : Quand on a ajouter le 2eme transistor on a amplifier le signal de premier montage. 5 uploads/Marketing/ tp-electronique 1 .pdf
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- Publié le Mar 06, 2021
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