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P a g e | 1 الجمهورية الجزائرية الديمقراطية الشعبية République Algérienne Démoc

P a g e | 1 الجمهورية الجزائرية الديمقراطية الشعبية République Algérienne Démocratique et Populaire وزارة التعليم العالي والبحث العلمي Ministère de l'Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique اللجنة البيداغوجية الوطنية لميدان العلوم و التكنولوجيا Comité Pédagogique National du domaine Sciences et T echnologies HARMONISATION OFFRE DE FORMATION MASTER ACADEMIQUE 2016 - 2017 Domaine Filière Spécialité Sciences et Technologies Electronique Microélectronique P a g e | 2 الجمهورية الجزائرية الديمقراطية الشعبية République Algérienne Démocratique et Populaire وزارة التعليم العالي والبحث العلمي Ministère de l'Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique اللجنة البيداغوجية الوطنية لميدان العلوم و التكنولوجيا Comité Pédagogique National du domaine Sciences et T echnologies مواءمة عرض تكوين ماستر أكاديمي 2017-2016 الميدان الفرع التخصص علوم و تكنولوجيا الكترونيك ميكرو إلكترونيك P a g e | 3 I – Fiche d’identité du Master P a g e | 4 Conditions d’accès (Indiquer les spécialités de licence qui peuvent donner accès au Master) Filière Master harmonisé Licences ouvrant accès au master Classement selon la compatibilité de la licence Coefficient affecté à la licence Electroni que Microélectroni que Electronique 1 1.00 Physique des matériaux (Domaine SM) 2 0.80 Chimie Matériaux (Domaine SM) 3 0.70 T élécommunications 3 0.70 Génie biomédical 3 0.70 Autres licences du domaine ST 5 0.60 Autres licences du domaine ST 5 0.60 P a g e | 5 II – Fiches d’organisation semestrielles des enseignements de la spécialité P a g e | 6 Semestre 1 Unité d'enseigneme nt Matières Crédits Coefcient Volume horaire hebdomadaire Volume Horaire Semestrie l (15 semaines) Travail Complément aire en Consultation (15 semaines) Mode d’évaluation Intitulé Cour s TD TP Contrôl e Continu Examen UE Fondamentale Code : UEF 1.1.1 Crédits : 10 Coefcients : 5 Physique des composants semiconducteurs 1 6 3 3h00 1h3 0 67h30 82h30 40% 60% Couches minces 4 2 1h30 1h3 0 45h00 55h00 40% 60% UE Fondamentale Code : UEF 1.1.2 Crédits : 8 Coefcients : 4 Procédés d’élaboration des dispositifs semiconducteurs 4 2 1h30 1h3 0 45h00 55h00 40% 60% Conception des circuits intégrés analogiques 4 2 1h30 1h3 0 45h00 55h00 40% 60% UE Méthodologiq ue Code : UEM 1.1 Crédits : 9 Coefcients : TP Physique des composants semiconducteurs 1 2 1 1h3 0 22h30 27h30 100% TP Conception des CI intégrés analogiques 2 1 1h3 0 22h30 27h30 100% TP propriétés optiques 2 1 1h3 22h30 27h30 100% P a g e | 7 5 des SC 0 Programmation orienté objet en C++ 3 2 1h30 1h0 0 37h30 37h30 40% 60% UE Découverte Code : UED 1.1 Crédits : 2 Coefcients : 2 Matière au choix 1 1 1 1h30 22h30 02h30 100% Matière au choix 2 1 1 1h30 22h30 02h30 100% UE T ransversale Code : UET 1.1 Crédits : 1 Coefcients : 1 Anglais technique et terminologie 1 1 1h30 22h30 02h30 100% Total semestre 1 3 0 1 7 13h3 0 6h0 0 5h3 0 375h00 375h00 P a g e | 8 Semestre 2 Unité d'enseignem ent Matières Crédits Coefcient Volume horaire hebdomadaire Volume Horaire Semestrie l (15 semaines) Travail Complément aire en Consultation (15 semaines) Mode d’évaluation Intitulé Cour s TD TP Contrôl e Continu Examen UE Fondamental e Code : UEF 1.2.1 Crédits : 10 Coefcients : 5 Physique des composants semiconducteurs 2 6 3 3h00 1h3 0 67h30 82h30 40% 60% Outils de simulation 4 2 1h30 1h3 0 45h00 55h00 40% 60% UE Fondamental e Code : UEF 1.2.2 Crédits : 8 Coefcients : 4 T echniques de caractérisation des dispositifs semiconducteurs 4 2 1h30 1h3 0 45h00 55h00 40% 60% Dispositifs photovoltaïques 4 2 1h30 1h3 0 45h00 55h00 40% 60% UE Méthodologiq ue Code : UEM TP Physique des composants SC 2 2 1 1h3 0 22h30 27h30 100% TP Outils de simulation 2 1 1h3 0 22h30 27h30 100% P a g e | 9 1.2 Crédits : 9 Coefcients : 5 TP Caractérisation des SC/ TP Dispositifs photovoltaïques 2 1 1h3 0 22h30 27h30 100% Conception des circuits intégrés analogiques MOS 3 2 1h30 1h0 0 37h30 37h30 40% 60% UE Découverte Code : UED 1.2 Crédits : 2 Coefcients : 2 Matière au choix 3 1 1 1h30 22h30 02h30 100% Matière au choix 4 1 1 1h30 22h30 02h30 100% UE T ransversale Code : UET 1.2 Crédits : 1 Coefcients : 1 Ethique, déontologie et propriété intellectuelle 1 1 1h30 22h30 02h30 100% Total semestre 2 3 0 17 13h3 0 6h0 0 5h3 0 375h00 375h00 P a g e | 10 Semestre 3 Unité d'enseignem ent Matières Crédits Coefcient Volume horaire hebdomadaire Volume Horaire Semestrie l (15 semaines) Travail Complément aire en Consultation (15 semaines) Mode d’évaluation Intitulé Cour s TD TP Contrôl e Continu Examen UE Fondamental e Code : UEF 1.3.1 Crédits : 10 Coefcients : 5 Physique des composants semiconducteurs 3 6 3 3h00 1h3 0 67h30 82h30 40% 60% Conception des CI analogiques numériques CMOS 4 2 1h30 1h3 0 45h00 55h00 40% 60% UE Fondamental e Code : UEF 1.3.2 Crédits : 8 Coefcients : 4 Matériaux pour l’électronique 4 2 1h30 1h3 0 45h00 55h00 40% 60% Optoélectronique 4 2 1h30 1h3 0 45h00 55h00 40% 60% UE Méthodologiq ue Code : UEM 1.3 TP Hétérostructures à semiconducteurs 2 1 1h3 0 22h30 27h30 100% TP Conception des CI analogiques numériques CMOS 2 1 1h3 0 22h30 27h30 100% P a g e | 11 Crédits : 9 Coefcients : 5 TP Optoélectronique 2 1 1h3 0 22h30 27h30 100% Simulation des composants SC 3 2 1h30 1h0 0 37h30 37h30 40% 60% UE Découverte Code : UED 1.3 Crédits : 2 Coefcients : 2 Matière au choix 5 1 1 1h30 22h30 02h30 100% Matière au choix 6 1 1 1h30 22h30 02h30 100% UE T ransversale Code : UET 1.3 Crédits : 1 Coefcients : 1 Recherche documentaire et conception de mémoire 1 1 1h30 22h30 02h30 100% Total semestre 3 3 0 17 13h3 0 6h0 0 5h3 0 375h00 375h00 P a g e | 12 Orientations générales sur le choix des matières transversales et de découverte : Six matières (de découverte) dans le Référentiel des Matières du Master ‘’Microélectronique’’ (T ableau ci-dessus) sont laissées au libre choix des établissements qui peuvent choisir indifféremment leurs matières parmi la liste présentée ci-dessous en fonction de leurs priorités. A titre d’exemple, une proposition du CPND pour le choix des matières est fournie ci-dessous avec les programmes détaillés pour les semestres 1 & 2. Matières proposées par le CPND pour le semestre 1 : (avec programmes détaillés)  Choix 1 : T echnologie du vide et Salle blanche (Découverte)  Choix 2 : Biomatériaux (Découverte) Matières proposées par le CPND pour le semestre 2 : (avec programmes détaillés)  Choix 3 : Gestion des déchets électroniques (Découverte)  Choix 4 : Introduction aux nanotechnologies (Découverte)  Choix : Les matériaux (Découverte)  Choix : Les matériaux intelligents (Découverte)  Choix : Appareillages et T echniques de caractérisation (Découverte) Autres matières laissées au libre choix des établissements (programmes ouverts après validation du CPND)  Industrie de la microélectronique (Découverte)  Matériaux pour la nanoélectronique et la photonique (Découverte)  Couches minces et cristaux photoniques (Découverte)  Capteurs intégrés et MEMS (Découverte)  … Semestre 4 Stage en entreprise sanctionné par un mémoire et une soutenance. VHS Coeff Crédits Travail Personnel 550 09 18 Stage en entreprise 100 04 06 Séminaires 50 02 03 Autre (Encadrement) 50 02 03 T otal Semestre 4 750 17 30 Ce tableau est donné à titre indicatif Evaluation du Projet de Fin de Cycle de Master - Valeur scientifique (Appréciation du jury) /6 P a g e | 13 - Rédaction du Mémoire (Appréciation du jury) /4 - Présentation et réponse aux questions (Appréciation du jury) /4 - Appréciation de l’encadreur /3 - Présentation du rapport de stage (Appréciation du jury) /3 P a g e | 14 III - Programme détaillé par matière du semestre S1 P a g e | 15 Semestre: 1 Unité d’enseignement: UEF 1.1.1 Matière 1: Physique des composants semiconducteurs 1 VHS: 67h30 (Cours: 3h00, TD: 1h30) Crédits: 6 Coefficient: 3 Objectifs de l’enseignement: Connaître les phénomènes physiques se manifestant dans les matériaux semiconducteurs qui sont utilisés pour réaliser les composants de la microélectronique. Comprendre le principe de fonctionnement des composants électroniques de base : jonction PN, diode Schottky, JFET. Connaissances préalables recommandées: Physique et chimie de base Contenu de la matière: Chapitre 1. Notions de cristallographie (1 Semaines) Systèmes cristallins, Mailles élémentaires, Plans réticulaires, Indices de Miller, Système cubique Chapitre 2. Théorie des bandes d’énergie d’un semiconducteur (3 Semaines) L’électron dans un cristal Modèle de Sommerfeld, Bandes d’énergie (approche intuitive), Calcul des bandes d’énergie, Distinction métal-isolant-Semiconducteur, Notion de trou, Masse effective de l’électron dans un cristal, Densité d’états dans les bandes permises). Semiconducteurs intrinsèques Semiconducteurs extrinsèques Ionisation des impuretés, Equilibre électrons-trous, Calcul de la position du niveau de Fermi, Semiconducteurs dégénérés Alignement des niveaux de Fermi uploads/Science et Technologie/ eln-microelectronique.pdf