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Chapitre iv Chapitre IV Polarisabilité d'une impureté donneur con ?née dans une boite- quantique de type c ?ur coquille sous l ? e ?et d ? un champ électrique C - Introduction Au cours de la dernière décennie les progrès de la nano- fabrication ont permis

Chapitre IV Polarisabilité d'une impureté donneur con ?née dans une boite- quantique de type c ?ur coquille sous l ? e ?et d ? un champ électrique C - Introduction Au cours de la dernière décennie les progrès de la nano- fabrication ont permis de fabriquer des matériaux semi-conducteurs de faible dimension tels que les puits quantiques QW les ?ls quantiques QWW et en ?n des structures à points quantiques QDs o? l'électron est con ?né dans les trois directions de l ? espace - Leurs dimensionnalités réduites permettent d'observer et d'étudier de nouveaux e ?ets En e ?et ces structures sont connues par leur rendement quantique élevé par rapport à celui des puits et ?ls quantiques Par conséquent au cours des dernières années des études expérimentales et théoriques des propriétés électroniques et optiques des points quantiques homogènes QDs ont attiré l'attention considérable de nombreux scienti ?ques en physique de la matière condensée et en sciences appliquées - Toutefois les états de surface peuvent diminuer leurs performances optoélectroniques ces états de surface piègent les porteurs de charges ce qui diminue leur nombre et par conséquent réduit les performances électroniques et optiques à la fois Pour pallier à ce problème il a été pensé que le recouvrement total d'une boite quantique par un puits quantique de semiconducteur di ?érent de bande interdite plus petite ou plus grande et de paramètre de maille similaire peut supprimer e ?cacement et durablement les centres de recombinaison non-radiative à la surface du c ?ur D ? après ce raisonnement un nouveau type de structure de points quantiques QD appelé points quantiques non homogènes IQD a été fabriqué et étudié Ces structures sont expérimentalement composées de deux matériaux semiconducteurs dont l'un avec la bande interdite la plus petite est encastré entre un noyau et l'enveloppe extérieure du matériau avec la bande interdite la plus grande L'originalité de ces nanostructures de type c ?ur coquille réside dans leurs propriétés physiques qui peuvent être ajustées en contrôlant la taille du c ?ur et l ? épaisseur de la coquille ce qui permet de manipuler à l'avance les niveaux d'énergie ainsi que les transitions intra ou interbandes En outre le dopage des nanocristaux constitue l'une des façons d'obtenir de nombreuses propriétés optoélectroniques accordables Les interactions des donneurs ou des accepteurs avec des excitons jouent un rôle clé dans l'interprétation des spectres de photoluminescence Plus récemment le contrôle de la largeur de la bande interdite et du niveau de fermi des nanocristaux semiconducteurs dopés révèle que les propriétés dues au dopant solitaire sont responsables des nouvelles transitions ce qui conduit à une nouvelle génération de dispositifs optoélectroniques tels que les cellules solaires et les transistors à couches minces Les boites quantiques sphériques inhomogènes synthétisé avec un noyau central et un ou plusieurs des couches de coquilles telles que CdSe ZnS InAs ZnSe CdS PbS attire de Cnombreux intérêts scienti ?ques Xi Zhang et al ont étudié les susceptibilités non linéaires du troisième ordre associées à la transition inter- sous-bandes sont