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Final Année - UNIVERSITE MARIEN NGOUABI FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES MÉMOIRE Pour l ? obtention du diplôme Master ès Sciences et Techniques Présenté et soutenu publiquement par MAMONA OUAMBA Amour Darel Le Février Etude ab-initio des propriétés élec

Année - UNIVERSITE MARIEN NGOUABI FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES MÉMOIRE Pour l ? obtention du diplôme Master ès Sciences et Techniques Présenté et soutenu publiquement par MAMONA OUAMBA Amour Darel Le Février Etude ab-initio des propriétés électronique et optique des hétérojonctions Te SnX X S Se Te JURY Président MOUSSOUNDA Paul Sand Professeur Titulaire Université MARIEN NGOUABI Examinateurs MOUKETO Landry Maitre Assistant Université MARIEN NGOUABI DOUMA Dick Hartmann Maitre Assistant Université MARIEN NGOUABI Directeur M ? PASSI MABIALA Bernard Professeur Titulaire Université MARIEN NGOUABI CPlan de l ? exposé Introduction générale Méthodologie Résultats et discussions Conclusion générale et perspectives CIntroduction générale Image NREL CIntroduction générale Image NREL Cellules solaires photovolta? ques CIntroduction générale Image NREL Cellules solaires photovolta? ques SILICIUM CRISTALLIN COUCHES MINCES ORGANIQUE OPV Silicium monocristallin sc-Si mono-Si Silicium multicristallin mc-Si poli- Si Tellurure de Cadmium CdTe Cellules à colorants DSC Cuivre Indium Galium Sélénium CIS CIGS Silicium amorphe hydrogéné a-Si H et microcristallin ?c-Si Cellules à polymères Cellules à pérovskites Arséniure de Gallium GaAs et matériaux III-V HYBRIDES Multi-jonctions Cellules à concentration Te MX CIntroduction générale Image NREL Cellules solaires photovolta? ques SILICIUM CRISTALLIN COUCHES MINCES ORGANIQUE OPV Silicium monocristallin sc-Si mono-Si Silicium multicristallin mc-Si poli- Si Tellurure de Cadmium CdTe Cellules à colorants DSC Cuivre Indium Galium Sélénium CIS CIGS Silicium amorphe hydrogéné a-Si H et microcristallin ?c-Si Cellules à polymères Cellules à pérovskites Arséniure de Gallium GaAs et matériaux III-V HYBRIDES Multi-jonctions Cellules à concentration Te MX CIntroduction générale Image NREL Cellules solaires photovolta? ques SILICIUM CRISTALLIN COUCHES MINCES ORGANIQUE OPV Silicium monocristallin sc-Si mono-Si Silicium multicristallin mc-Si poli- Si Tellurure de Cadmium CdTe Cellules à colorants DSC Cuivre Indium Galium Sélénium CIS CIGS Silicium amorphe hydrogéné a-Si H et microcristallin ?c-Si Cellules à polymères Cellules à pérovskites Arséniure de Gallium GaAs et matériaux III-V HYBRIDES Multi-jonctions Cellules à concentration Te MX Propriétés du tellurène ? Coe ?cient d ? absorption élevé ? Mobilité des porteurs élevée ? Stabilité à température ambiante CIntroduction générale Image NREL Cellules solaires photovolta? ques SILICIUM CRISTALLIN COUCHES MINCES ORGANIQUE OPV Silicium monocristallin sc-Si mono-Si Silicium multicristallin mc-Si poli- Si Tellurure de Cadmium CdTe Cellules à colorants DSC Cuivre Indium Galium Sélénium CIS CIGS Silicium amorphe hydrogéné a-Si H et microcristallin ?c-Si Cellules à polymères Cellules à pérovskites Arséniure de Gallium GaAs et matériaux III-V HYBRIDES Multi-jonctions Cellules à concentration Te MX Propriétés du tellurène ? Coe ?cient d ? absorption élevé ? Mobilité des porteurs élevée ? Stabilité à température ambiante Cellules Te MoTe et Te WTe ont présenté une activité optique cm- CIntroduction générale C ? est quoi le tellurène -Te ?-Te ? -Te SnX X S Se Te -Te a une structure T-MoS la phase ?-Te présente la structure tétragonale et ?-Te cristallise sous H-MoS CMéthodologie ? Calcul de la structure électronique Equation de Schr? dinger ? Approximation de Born-Oppenheimer ? Approximation de Hartree ? Approximation de Hartree-Fock ? Theorie de la fonctionnelle de la densité ? Hohenberg et Konh ? Konh et Sham ? Approximations utilisées