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Le transistor a jonction Le transistor à jonction Le transistor à jonction Denis Gauthier Lycée Bernard Palissy Agen Composant très important des circuits électroniques sa découverte en par l'américain W Shocckley a permis la réalisation d'appareils peu e

Le transistor à jonction Le transistor à jonction Denis Gauthier Lycée Bernard Palissy Agen Composant très important des circuits électroniques sa découverte en par l'américain W Shocckley a permis la réalisation d'appareils peu encombrants et fonctionnant avec peu d'énergie piles Nous étudions le transistor bipolaire modèle le plus simple - Description et symboles Le transistor bipolaire est formé d'un monocristal semi-conducteur silicium dans lequel on a créé zones de conductivité di ?érentes par dopage P ou N à l'aide d'impuretés voir Annexe du chapitre précédent Ces zones donnent deux jonctions PN très proches La zone centrale très mince m constitue la base B les deux autres zones sont l'émetteur E et le collecteur C Elles sont reliées à trois bornes extérieures Il y a deux types de transistor suivant que la base est dopée P ou N Sur le symbole la êche indique le sens passant de la jonction émetteur-base Les deux jonctions sont toujours dissymétriques NP et PN pour le type NPN PN et NP pour le type PNP - Expériences préliminaires On utilise un transistor NPN - Etude du dipôle BE On réalise sur une plaquette les deux montages suivants webetab ac-bordeaux fr Pedagogie Physique STAGES IEE htm C Le transistor à jonction Observation Conclusion A quel dipôle peut-on assimiler le dipôle BE - Etude du dipôle CE On réalise sur plaquette les deux montages suivants Observation Conclusion - Expérience fondamentale - Montage avec émetteur commun On réalise ce montage le plus employé sur une plaquette adaptée webetab ac-bordeaux fr Pedagogie Physique STAGES IEE htm C Le transistor à jonction - Mesures On augmente doucement uBE jusqu'à avoir Ib mA et on poursuit les mesures en faisant croitre Ib par mA jusqu'à mA On passe ensuite à une progression par mA jusqu'à mA uBE V Ib ? ? mA Ic mA uCE V - Tracé des courbes On trace sur papier millimétré à la maison et avec le tableur EXCEL ou de SYNCHRONIE au Lycée les courbes Ib f uBE et Ic f Ib - Interprétation des caractéristiques tracées - Ib en fonction de uBE La courbe Ib f uBE obtenue est analogue à la caractéristique i f uAB d'une diode silicium le dipôle BE se comporte comme une diode ordinaire de tension seuil us V Quand Ib augmente uBE devient pratiquement constante à une valeur proche de us - Ic en fonction de Ib La courbe Ic f Ib obtenue présente deux parties séparées par une partie de transition ère partie Ic est fonction linéaire croissante de Ib avec Ic Ib cte b à partir des points limites on calcule b ème partie webetab ac-bordeaux fr Pedagogie Physique STAGES IEE htm C Ic cte Ic sat Le transistor à jonction - Schématisation des modes de fonctionnement d'un transistor - Idéalisation des caractéristiques précédentes Ces courbes sont simpli ?ées en négligeant les phases intermédiaires - Domaines de fonctionnement - - Domaine transistor bloqué uBE us Ib Ic uCE V Ec f e m du générateur placé dans le