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.Ministre de l’éducation et de la formation Direction régionale de l’enseigneme

.Ministre de l’éducation et de la formation Direction régionale de l’enseignement de Nabeul LYCEE RUE ELMENZEH BENI KHALLED DEVOIR DE CONTROLE N°2 CLASSE : 2ème T.I 1 DATE 04/02/2009 DUREE : 1 HEURE Matière : Sciences physiques Professeur : Hamza HAMROUNI Indications et consignes générales  Le sujet comporte 1 exercice de chimie et 3 exercices de physiques.  Donner les expressions littérales avant toute application numérique. CHIMIE (6 points) : Le silicium Si a pour numéro atomique Z= 14 1°/ a – Donner la structure électronique de l'atome correspondant. b – Localiser cet élément dans le tableau de la classification périodique. 2°/Dans le tableau de la classification périodique on trouve, juste à droite du silicium dans l'ordre, les éléments phosphore P, soufre S, chlore Cl et argon Ar. a – Déterminer le numéro atomique de chacune de ces éléments. b – Déduire les structures électroniques des atomes correspondantes. 3°/ A quelles familles chimiques appartiennent les éléments chlore et l'argon et quelles sont leurs propriétés chimiques, citer un autre élément de chaque famille? 4°/a – Combien de liaisons peut effectuer l'élément silicium ? b – Ecrire la formule brute de la molécule de chlorure de silicium formé du chlore et de silicium. 5°/ L'atome de l'aluminium se trouve juste à gauche de silicium dans le tableau périodique. Déduire son numéro atomique. 0,25 0,5 1 1 1,5 0,5 0,5 0,75 A1 Capacit é PHYSIQUE (14 points) EXERCICE 1 : (3,5 points) La caractéristiques I=f(U) d'une diode Zéner est représentée ci-dessous : On donne : Echelle : 1cm (1carreau)↔0,4V et 1cm(1carreau)↔20mA I (mA) 1°/ Quelle est la partie correspondante au sens inverse. 2°/ a – Déterminer la résistance Rz dans le sens direct. b – Déterminer la valeur de tension Zener Ez ainsi que la tension de claquage. 3°/ Déterminer la résistance Rdiff dans le sens inverse. 4°/ Soit le montage suivant : On donne : Rz = 10 et Iz = 50mA. Ru est infini Calculer U2 pour une valeur U1 = 10V. 0,25 0,75 0,75 0,75 1 U(V) R=90 I Iu Iz U1 U2 Ru 1 2 EXERCICE 2 :(3,5 points) Un transistor dont les caractéristiques sont figurées ci – dessous (voir figure de l'exercice 3) IB (µA) IC (mA) IC (mA) 0,2 0,4 0,6 0,8 UBE(V) 20 40 60 IB (µA) 1,5 3 4,5 6 7,5 UCE 1°/ a – Identifier chacune des figures a, b et c. b – Quel type de transistor utilisé dans le circuit ci contre? c – De quel type de montage s'agit – il ? d – Quelle type de polarisation utilise – t – on ? 2°/ a – Sur la courbe de la figure b, qu'appelle – t – on les zones 1 et 2 ? b – Déterminer graphiquement la valeur de coefficient d’amplification. c – Déterminer graphiquement la valeur de la tension seuil US. d – Déterminer graphiquement les valeurs de : UCEsat ; ICsat et UCmax. EXERCICE 3 : (7 points) Un transistor dont les caractéristiques d'entrée et de sortie sont données ci – dessous : UCE=8V ; RC = 1k ; E = 11V ; R1 = 150k et UBE = 0,8V. I – K est fermé : 1°/ a – Exprimer l'expression de l'intensité du courant IC en fonction de E ; UCE et RC puis la calculer. b – Sachant que  =200, déduire la valeur de IB. 2°/ a – Exprimer l'expression de l'intensité du courant I1 en fonction de E; UBE et R1 et la calculer. b – Déduire la valeur de I2. c – Déduire alors la valeur de R2. II – K est maintenant ouvert : 1°/ Dans quel état sera le transistor? 2°/ Calculer dans ce cas l'intensité du courant I débitée par le générateur. III – K est nouveau fermé : 1°/ Le transistor se débloque lorsque UBE = 0,7V. Déterminer la valeur minimale de R2 pour que le transistor fonctionne normalement. 2°/ Que se passe – t – il si on court – circuit B et E ? 3°/ Lorsque le transistor est saturée UCE tend vers zéro, déterminer alors l'intensité du courant de saturation ICsat. 0,75 0,25 0,25 0,25 0,5 0,5 0,25 0,75 1 0,5 1 0,5 0,5 0,5 0,5 1,25 0,5 0,75 1 2 4 2 R1 RC K E R2 uploads/s3/ devoir-de-controle-n-2-physique-2eme-ti-2008-2009-mr-hamza-hamrouni-pdf.pdf