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P a g e | 1 اطية الشعبية ائرية الديمقر الجمهورية الجز République Algérienne Dém

P a g e | 1 اطية الشعبية ائرية الديمقر الجمهورية الجز République Algérienne Démocratique et Populaire ارة التعليم العالي والبحث العلمي وز Ministère de l'Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique اللجنة البيداغوجية الوطنية لميدان العلوم و التكنولوجيا Comité Pédagogique National du domaine Sciences et Technologies HARMONISATION OFFRE DE FORMATION MASTER ACADEMIQUE 2016 - 2017 Domaine Filière Spécialité Sciences et Technologies Electronique Microélectronique P a g e | 2 اطية الشعبية ائرية الديمقر الجمهورية الجز République Algérienne Démocratique et Populaire ارة التعليم العالي والبحث العلمي وز Ministère de l'Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique اللجنة البيداغوجية الوطنية لميدان العلوم و التكنولوجيا Comité Pédagogique National du domaine Sciences et Technologies مواءمة عرض تكوين ماستر أكاديمي 2017-2016 الميدان الفرع التخصص علوم و تكنولوجيا الكترونيك ميكرو إلكترونيك P a g e | 3 I – Fiche d’identité du Master P a g e | 4 Conditions d’accès (Indiquer les spécialités de licence qui peuvent donner accès au Master) Filière Master harmonisé Licences ouvrant accès au master Classement selon la compatibilité de la licence Coefficient affecté à la licence Electronique Microélectronique Electronique 1 1.00 Physique des matériaux (Domaine SM) 2 0.80 Chimie Matériaux (Domaine SM) 3 0.70 Télécommunications 3 0.70 Génie biomédical 3 0.70 Autres licences du domaine ST 5 0.60 Autres licences du domaine SM 5 0.60 P a g e | 5 II – Fiches d’organisation semestrielles des enseignements de la spécialité P a g e | 6 Semestre 1 Unité d'enseignement Matières Crédits Coefficient Volume horaire hebdomadaire Volume Horaire Semestriel (15 semaines) Travail Complémentaire en Consultation (15 semaines) Mode d’évaluation Intitulé Cours TD TP Contrôle Continu Examen UE Fondamentale Code : UEF 1.1.1 Crédits : 10 Coefficients : 5 Physique des composants semiconducteurs 1 6 3 3h00 1h30 67h30 82h30 40% 60% Couches minces 4 2 1h30 1h30 45h00 55h00 40% 60% UE Fondamentale Code : UEF 1.1.2 Crédits : 8 Coefficients : 4 Procédés d’élaboration des dispositifs semiconducteurs 4 2 1h30 1h30 45h00 55h00 40% 60% Conception des circuits intégrés analogiques 4 2 1h30 1h30 45h00 55h00 40% 60% UE Méthodologique Code : UEM 1.1 Crédits : 9 Coefficients : 5 TP Physique des composants semiconducteurs 1 2 1 1h30 22h30 27h30 100% TP Conception des CI intégrés analogiques 2 1 1h30 22h30 27h30 100% TP propriétés optiques des SC 2 1 1h30 22h30 27h30 100% Langage de Programmation 3 2 1h30 1h00 37h30 37h30 40% 60% UE Découverte Code : UED 1.1 Crédits : 2 Coefficients : 2 Matière au choix 1 1 1 1h30 22h30 02h30 100% Matière au choix 2 1 1 1h30 22h30 02h30 100% UE Transversale Code : UET 1.1 Crédits : 1 Coefficients : 1 Anglais technique et terminologie 1 1 1h30 22h30 02h30 100% Total semestre 1 30 17 13h30 6h00 5h30 375h00 375h00 P a g e | 7 Semestre 2 Unité d'enseignement Matières Crédits Coefficient Volume horaire hebdomadaire Volume Horaire Semestriel (15 semaines) Travail Complémentaire en Consultation (15 semaines) Mode d’évaluation Intitulé Cours TD TP Contrôle Continu Examen UE Fondamentale Code : UEF 1.2.1 Crédits : 10 Coefficients : 5 Physique des composants semi conducteurs 2 6 3 3h00 1h30 67h30 82h30 40% 60% Outils de simulation 4 2 1h30 1h30 45h00 55h00 40% 60% UE Fondamentale Code : UEF 1.2.2 Crédits : 8 Coefficients : 4 Techniques de caractérisation des dispositifs semi conducteurs 4 2 1h30 1h30 45h00 55h00 40% 60% Dispositifs photovoltaïques 4 2 1h30 1h30 45h00 55h00 40% 60% UE Méthodologique Code : UEM 1.2 Crédits : 9 Coefficients : 5 TP Physique des composants SC 2 2 1 1h30 22h30 27h30 100% TP Outils de simulation 2 1 1h30 22h30 27h30 100% TP Caractérisation des SC/ TP Dispositifs photovoltaïques 2 1 1h30 22h30 27h30 100% Conception des circuits intégrés analogiques MOS 3 2 1h30 1h00 37h30 37h30 40% 60% UE Découverte Code : UED 1.2 Crédits : 2 Coefficients : 2 Matière au choix 3 1 1 1h30 22h30 02h30 100% Matière au choix 4 1 1 1h30 22h30 02h30 100% UE Transversale Code : UET 1.2 Crédits : 1 Coefficients : 1 Ethique, déontologie et propriété intellectuelle 1 1 1h30 22h30 02h30 100% Total semestre 2 30 17 13h30 6h00 5h30 375h00 375h00 P a g e | 8 Semestre 3 Unité d'enseignement Matières Crédits Coefficient Volume horaire hebdomadaire Volume Horaire Semestriel (15 semaines) Travail Complémentaire en Consultation (15 semaines) Mode d’évaluation Intitulé Cours TD TP Contrôle Continu Examen UE Fondamentale Code : UEF 2.1.1 Crédits : 10 Coefficients : 5 Techniques et Systèmes photovoltaïques 6 3 3h00 1h30 67h30 82h30 40% 60% Conception des CI analogiques/numériques CMOS 4 2 1h30 1h30 45h00 55h00 40% 60% UE Fondamentale Code : UEF 2.1.2 Crédits : 8 Coefficients : 4 Optoélectronique et Circuits électroniques associés 4 2 1h30 1h30 45h00 55h00 40% 60% Physique des composants semiconducteurs 3 4 2 1h30 1h30 45h00 55h00 40% 60% UE Méthodologique Code : UEM 2.1 Crédits : 9 Coefficients : 5 TP Techniques et Systèmes photovoltaïques 2 1 1h30 22h30 27h30 100% TP Conception des CI analogiques/numériques CMOS 2 1 1h30 22h30 27h30 100% TP Optoélectronique 2 1 1h30 22h30 27h30 100% Simulation des composants SC 3 2 1h30 1h00 37h30 37h30 40% 60% UE Découverte Code : UED 2.1 Crédits : 2 Coefficients : 2 Matière au choix 5 1 1 1h30 22h30 02h30 100% Matière au choix 6 1 1 1h30 22h30 02h30 100% UE Transversale Code : UET 2.1 Crédits : 1 Coefficients : 1 Recherche documentaire et conception de mémoire 1 1 1h30 22h30 02h30 100% Total semestre 3 30 17 13h30 6h00 5h30 375h00 375h00 P a g e | 9 Orientations générales sur le choix des matières transversales et de découverte : Six matières (de découverte) dans le Référentiel des Matières du Master ‘’Microélectronique’’ (Tableau ci-dessus) sont laissées au libre choix des établissements qui peuvent choisir indifféremment leurs matières parmi la liste présentée ci-dessous en fonction de leurs priorités. Matières avec programmes détaillés :  Technologie du vide et Salle blanche (Découverte)  Biomatériaux (Découverte)  Gestion des déchets électroniques (Découverte)  Introduction aux nanotechnologies (Découverte)  Les matériaux (Découverte)  Les matériaux intelligents (Découverte)  Appareillages et Techniques de caractérisation (Découverte)  Matériaux pour l’électronique Autres matières laissées au libre choix des établissements (programmes ouverts après validation du CPND)  Industrie de la microélectronique (Découverte)  Matériaux pour la nanoélectronique et la photonique (Découverte)  Couches minces et cristaux photoniques (Découverte)  Capteurs intégrés et MEMS (Découverte)  … Semestre 4 Stage en entreprise sanctionné par un mémoire et une soutenance. VHS Coeff Crédits Travail Personnel 550 09 18 Stage en entreprise 100 04 06 Séminaires 50 02 03 Autre (Encadrement) 50 02 03 Total Semestre 4 750 17 30 Ce tableau est donné à titre indicatif Evaluation du Projet de Fin de Cycle de Master - Valeur scientifique (Appréciation du jury) /6 - Rédaction du Mémoire (Appréciation du jury) /4 - Présentation et réponse aux questions (Appréciation du jury) /4 - Appréciation de l’encadreur /3 - Présentation du rapport de stage (Appréciation du jury) /3 P a g e | 10 III - Programme détaillé par matière du semestre S1 P a g e | 11 Semestre: 1 Unité d’enseignement: UEF 1.1.1 Matière 1: Physique des composants semiconducteurs 1 VHS: 67h30 (Cours: 3h00, TD: 1h30) Crédits: 6 Coefficient: 3 Objectifs de l’enseignement: Connaître les phénomènes physiques se manifestant dans les matériaux semiconducteurs qui sont utilisés pour réaliser les composants de la microélectronique. Comprendre le principe de fonctionnement des composants électroniques de base : jonction PN, diode Schottky, JFET. Connaissances préalables recommandées: Physique et chimie de base Contenu de la matière: Chapitre 1. Notions de cristallographie (1 Semaines) Systèmes cristallins, Mailles élémentaires, Plans réticulaires, Indices de Miller, Système cubique Chapitre 2. Théorie des bandes d’énergie d’un semiconducteur (3 Semaines) L’électron dans un cristal Modèle de Sommerfeld, Bandes d’énergie (approche intuitive), Calcul des bandes d’énergie, Distinction métal-isolant-Semiconducteur, Notion de trou, Masse effective de l’électron dans un cristal, Densité d’états dans les bandes permises). Semiconducteurs intrinsèques Semiconducteurs extrinsèques Ionisation des impuretés, Equilibre électrons-trous, Calcul de la position du niveau de Fermi, Semiconducteurs dégénérés Alignement des niveaux de Fermi Chapitre 3. Théorie de la conductivité électrique et équations de transport (3 Semaines) Dérive des électrons dans un champ électrique Mobilité Courant de dérive (Effet Hall) Courant de diffusion Equations de dérive-diffusion (Relations d’Einstein) Equations de transport Quasi-niveaux de Fermi Chapitre 4. Phénomène de Génération et de recombinaison (3 Semaines) Introduction Transitions directes et indirectes Centres de génération-recombinaison Durée de vie des porteurs excédentaires Recombinaison SRH Recombinaison en surface Chapitre 5. La jonction PN (2 Semaines) Introduction Jonction PN à l’équilibre Jonction PN polarisée Calcul du courant : diode idéale (courant de diffusion), courant de génération / recom- binaison, Claquage de la jonction) Capacité de la jonction PN : Capacité de transition, Capacité de diffusion Modèle de la jonction PN : Modèle ‘’grands signaux’’ à basse fréquence, Modèle ‘’ petits signaux’’ à basse fréquence, Modèle ‘’petits signaux’’ à haute fréquence P a g e | 12 uploads/Science et Technologie/ 8-eln-microelectronique-11sept.pdf