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UNIVERSITE HASSAN Ier Faculté des Sciences et Techniques de Settat Département

UNIVERSITE HASSAN Ier Faculté des Sciences et Techniques de Settat Département de Physique Appliquée A.U.: 2007/2008 Settat le 08/05/2008 Filière EEA CONTROLE N°1 (Durée 2 heures) (Documents non autorisés) On considère le JFET ayant les caractéristiques suivantes : On se placera à 25°C. 1°) Déterminez la valeur de IDSS et VP (tension de pincement). 2°) a) Déterminez graphiquement la valeur de gm1 si ce JFET est polarisé à ID=1mA, puis gm5 si ce JFET est polarisé à ID=5mA. b) Sachant que l’on veut utiliser ce composant en amplificateur, vaut-il mieux le polarisé à 1mA ou à 5mA ? Expliquez. 3°) On place le JFET précédent dans le montage suivant. Pr. B.ABBOUD Contrôle 2 EEA a) Dessinez le schéma statique du montage b) Calculez le potentiel VG sur la grille du JFET. c) On souhaite polariser le montage à ID = 5mA. Après avoir déterminé la valeur VGS conduisant à la circulation de ce courant, calculez la valeur que devra prendre la résistance R1. d) Pour forcer le JFET à rester dans sa zone d’amplification (zone de plateaux), il faut VDS>VGS+|VP|. Calculez la valeur limite que devra prendre la résistance R2, en précisant si c’est une résistance min ou max permettant ce fonctionnement. 4°) On prendra R1 = 1560 et R2 = 470. a) Dessinez le schéma équivalent en petits signaux du montage. b) En reprenant gm5 = 4,6mA/V (pour ID = 5mA), déterminez les valeurs numériques de l ´impédance d’entrée Re du montage, de l´impédance Rs de sortie, ainsi que du gain en charge Av=Vs/Ve. Pr. B.ABBOUD Contrôle 2 EEA uploads/s1/ controle-2-eea-2008.pdf