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[1] Exercice n°1 : (08 pts) 1) Calcul des valeurs de l’intensité du courant i(t

[1] Exercice n°1 : (08 pts) 1) Calcul des valeurs de l’intensité du courant i(t) traversant Rp et de la tension Vs(t). Cas N°1 :           2 , 0 0 ) ( T t E t e Lorsque la tension e(t) est positive, D2 étant polarisée en sens inverse ne conduit pas; D1 et D3 sont en parallèle et de même sens donc aptes à conduire mais comme : 02 01 S S V V  , tout le courant passe par D1 qui conduit. D1 est à base de germanium implique que sa tension seuil notée Vs01=0,3V D3 est à base de silicium implique que sa tension seuil notée Vs03=0,7V J’applique la loi des mailles :     pt mA R R R V E I t i t i t R t i R t i R V t e P d S d P d S 1 29 , 31 310 7 , 9 310 3 , 0 10 ) ( ) ( ). ( ) ( . ) ( . ) ( 01 01                    pt V V I R R t i R V t i R V t V S d d d S s 1 74 , 3 3 . 0 03129 , 0 110 . ) ( . ) ( . ) ( 01 1 1 01 1            Cas N°2 :           T T t E t e , 2 0 ) ( Quand la tension e(t) est négative, les diodes normales D1 et D3 sont bloquées (polarisées en inverse) et la diode D2 conduit car polarisée en en sens direct. J’applique la loi des mailles :     R P d s R R P R d R S I t i pt mA R R R V E I I t R I R I R V t e                    ) ( 1 14 , 22 420 3 , 9 420 7 , 0 10 . 2 ) ( 0 ). ( . . . 2 ) ( 2 02 2 02    pt V I R V I R V t V R d S R s 1 57 , 5 ) . . . 2 ( ) ( 2 02 2        2) Calcul de la valeur moyenne du courant i(t). (1pt)  A T T T dt T dt T dt t i T dt t i T I T T T T T T moy 0046 , 0 2 02214 , 0 03129 , 0 2 02214 , 0 2 03129 , 0 1 . 02214 , 0 1 . 03129 , 0 1 ). ( 1 ). ( 1 2 0 2 2 2 0                       3) Calcul de la valeur de la tensionVr(t) aux bornes de Rp et tracer son graphe.                                      pt T T t V I R pt T t V I R t V R P d P RP 1 , 2 49 , 4 02214 , 0 200 ) . ( 1 2 , 0 26 , 6 03129 , 0 200 . ) ( Rp +E D1 R Vs(t)=V1 i(t)=Id + Vs01 D2 2R D3 3R D2 D3 Rp e(t)=-E Vs(t)=V2 IR Vs02 + D2 2R -4,49V X 0 T/2 T t (1pt) 6 ,26V * [2] Exercice n°2 : (08 pts) 1) Calcul de : E I , CE C C V et V I , , . En appliquant la loi des mailles au circuit de polarisation d’entrée , on obtient :      pt A R R V V I V I R I R V V I R I R V V V V B E BE BB E BE E B E E BB BE B B E E RB BE RE BB 1 17 , 3 150 1 1 100 15 7 , 0 50 1 1 . 1 . . . .                         2) Coordonnées du point de repos noté       pt A V V A P I V V I P C CE BE B 1 ). 15 , 3 ; 70 , 73 ; 7 , 0 ; 021 , 0 ( ) , , , ( 0 0  3) Puissance dissipeé par le transistor :     pt W I V W V V I I V I V P transistor le par dissipée P notée puissance la Calculons C CE CE BE C C CE B BE 1 16 , 232 . 17 , 232 70 , 73 150 7 , 0 15 , 3 . . . .                        4) Equation de la droite d’attaque statique et celle de la droite de charge.  . ' , ) B BE I f V attaque d droite la de Equation a  On applique la loi des mailles au circuit de polarisation d’entrée :               B E B BB B E B BE BE B E B B BB BE B B E E RE BE RB BB I I RMQ pt I V I R R V V I R I R V V I R I R V V V V . 1 : 1 01 50 . 2365 . 1 . . 1 . . . .                           . arg , ) CE C V f I e ch de droite la de Equation b  On applique la loi des mailles au circuit de polarisation de sortie :       pt I I I I I I RMQ V R R V V R R I V I R I R V V I R I R V V V V C C C C B E CE E C CC CE E C C CE C E C C CC CE E E C C RE CE RC CC 1 . 1 1 : 02 5 . 025 , 0 . 1 1 . 1 1 1 . 1 1 . . . .                                                                           pt V I R V V V V pt V R I V V V pt A A I I I E E C E C CE C C RC CC C E B C 5 , 0 70 , 73 17 , 3 15 25 , 121 . 5 , 0 25 , 121 25 15 , 3 200 . 200 5 , 0 15 , 3 151 17 , 3 150 1 .                           Vcc RB IB RC RE VE VBB IE E C Vc RB IB RC Vcc RE VBB IE [3] 5) Calcul du courant de base minimal pour saturer le transistor         pt A I I A R R V V R R I pt V I R I R V V I R I R V V V V SAT C B E C CC SAT CE E C SAT C SAT CE SAT C E SAT C C CC CE E E C C RE CE RC CC 1 0333 , 0 5 5 uploads/S4/ corrige-examen5-n02.pdf