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1 Université de Douala Année Académique 2019/2020 Faculté de Génie Industriel D

1 Université de Douala Année Académique 2019/2020 Faculté de Génie Industriel Département de Tronc Commun UE d’Electronique de Base TD2 : le transistor bipolaire, 2/3 L’objectif de l’exercice 2/3 du TD2 est d’amener l’étudiant à comprendre la polarisation d’un transistor bipolaire. En effet, La polarisation a pour rôle de placer le point de fonctionnement du transistor dans la zone linéaire de ses caractéristiques. En pratique, la polarisation se fait avec une seule source de tension continue. Considérons à nouveaux les figures du TD 1/3. On donne Respectivement pour les figures 1, 2, 3 et 4 : RB = {291KΩ, 141KΩ, 264KΩ, 18KΩ}, RC = 1KΩ, β = 150. Le tableau ci-dessous contient les données nécessaires pour tracer la caractéristique de sortir d’un transistor bipolaire. 1. Tracer IC = f(VCE ) tout en sachant que ce sont des lignes droites entre les points donnés. 2. Déterminer pour chacune des figures les équations des droites de charges et d’attaque statique. 3. Tracer sur le graphe précédent les droites de charges et en déduire les coordonnées du point de fonctionnement Q pour chacune des valeurs du courant de base. 4. Déterminer pour chacun des points de fonctionnement de la question précédente les nouvelles valeurs de RC et RB correspondante. Déduire le Rôle de RB. IB(µA) 40 67 93 VCE(V) 2,0 20,0 2,0 20,0 2,0 20,0 IC(mA) 6 10 14 N.B. : Pour vos propositions de solution, des éventuelles questions, bien vouloir utiliser les contacts des responsables de TD : signetadajovalie@yahoo.com et lambert2008@yahoo.fr uploads/S4/ ebeb-td2-2-2020.pdf