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INSTITUT SUPERIEUR DE FORMATION AUX METIERS DES TELECOMMUNICATIONS, DE L’INNOVA

INSTITUT SUPERIEUR DE FORMATION AUX METIERS DES TELECOMMUNICATIONS, DE L’INNOVATION TECHNOLOGIQUE, DE COMMERCE ET GESTION BP 33 384 Yaoundé, Awaé-escalier, Tél : 243 01 32 33 /699 36 13 26 Site : www.iftic-sup.net email : contact@iftic-sup.net . Année Académique 2018-2019 TR3 EXAMENS DU SEMESTRE 1 EPREUVE N° 1 de GSM QUESTIONS DE COURS 1/-Citer en les commentant les concepts de base d’un système cellulaire. 2- Calculez la capacité de communications simultanées dans le sens Mobile – BTS d’un réseau GSM dont l’allocation de fréquences est réalisée sur un motif à 4 sachant que celui-ci est répété 10 fois. On rappelle que le nombre de slots à utiliser est 7. 3/- Dans un téléphone mobile, quel est le rôle de la carte SIM ? 4/- Quelle est l’autre nom du transfert automatique intercellulaire, le décrire brièvement et décrire aussi les actions accomplies par le mobile et par le réseau dans ce contexte. 5/-a-Citez et commentez les différents protocoles du niveau 3 à l’interface radio dans GSM. b- Quelle différence faites-vous entre LAPDm et LAPD ? Où se situent chacun de ces protocoles dans GSM ? Simulation Résumez les activités d’un mobile GSM en veille et en communication. INSTITUT SUPERIEUR DE FORMATION AUX METIERS DES TELECOMMUNICATIONS, DE L’INNOVATION TECHNOLOGIQUE, DE COMMERCE ET GESTION BP 33 384 Yaoundé, Awaé-escalier, Tél : 243 01 32 33 /699 36 13 26 Site : www.iftic-sup.net email : contact@iftic-sup.net . Année Académique 2018-2019 TR3 EXAMENS DU SEMESTRE 1 EPREUVE N° 2 de GSM QUESTIONS DE COURS 1/- a-Dans quel concept du GSM se situe le handover ? b- Entre un scénario de localisation et un scénario de handover, lequel des deux vous paraît le plus complexe ? Pourquoi ? 2/-a- Indiquez dans l’ordre les opérations qui se déroulent dès la mise sous tension d’un mobile GSM. b- Comment s’effectue la gestion des canaux de trafic dans un réseau GSM ? 3/-a-Citez et commentez les différents protocoles du niveau 3 à l’interface radio dans GSM. b- Quelle différence faites-vous entre LAPDm et LAPD ? Où se situent chacun de ces protocoles dans GSM ? SIMULATION Décrivez les cinq principales étapes d’un handover intra MSC. Entités impliquées : MS, BSSS1 (ancien), BSS2 (nouveau), MSC, VLR. BP 33 384 Yaoundé, Awaé-escalier, Tél : 33 01 32 33 / 99 36 13 26 Site : www.ift ic-sup.net email : contact@ift ic-sup.net Année académique 2018-2019 EXAMENS DU SEMESTRE 1 EPREUVE N° 3 de GSM QUESTIONS DE COURS 1/-a-La modulation choisie par le GSM est-elle une modulation de fréquence ou une modulation d’amplitude ? Expliquez. b-Quelle est la fonction du canal logique AGCH dans le GSM ? 2/-a- Que signifie AMRF-AMRT-AMRC ? b-Comment est utilisé le canal de transmission dans chaque technique durant une communication ? 3/-a-Quelle est la solution trouvée pour régler le problème de la confidentialité dans le GSM ? b-Quels sont les types de liaisons mises en jeu par le GSM et comment sont-elles sécurisées ? 4/-Dans GSM comment sont gérées les ressources radio ? Simulation Décrivez les cinq principales étapes d’un handover intra MSC. Entités impliquées : MS, BSSS1 (ancien), BSS2 (nouveau), MSC, VLR. INSTITUT SUPERIEUR DE FORMATION AUX METIERS DES TELECOMMUNICATIONS, DE L’INNOVATION TECHNOLOGIQUE, DE COMMERCE ET DE GESTION BP 33 384 Yaoundé, Awaé-escalier, Tél : 33 01 32 33 / 99 36 13 26 Site : www.ift ic-sup.net email : contact@ift ic-sup.net SEMESTRIELS I 2019 TR1 Sujet 1 EPREUVE D’ELECTRONIQUE Durée 2H I/- QUESTIONS DE COURS 1) Définir :- Dopage - Conduction de type N - Conduction de type P - Jonction 2/- a-Quel est le rôle du dopeur dans un semi-conducteur de type N ? Dans un semi- conducteur de type P ? 3)-a-Pourquoi dans la polarisation sens boquant le courant est-il pratiquement négligeable ? b-Commentez la caractéristique directe d’une diode et dessinez le schéma la favorisant. 4/-Représenter par deux schémas annotés les tensions et courants dans un transistor NPN et un transistor PNP Problème On considère le montage ci-dessous susceptible de réguler une tension dans certaines limites. R r V1 T V2 Dans la partie où le courant augmente, la caractéristique de la thermistance CTN est sensiblement rectiligne et passe par les points P (3V, 100mA) et Q (2V, 200mA). 1/- Calculer la résistance statique en chacun des points Pet Q 2/- Calculer la résistance dynamique entre les deux points 3/-La résistance R = 50Ω et l’ensemble du montage est soumis à une tension V1 variable a/- Quelle doit être la valeur de r pour que a tension V2 soit constante quand le courant varie de 100mA à 200mA ? Quelle est alors la valeur de la tension V2 ? INSTITUT SUPERIEUR DE FORMATION AUX METIERS DES TELECOMMUNICATIONS, DE L’INNOVATION TECHNOLOGIQUE, DE COMMERCE ET DE GESTION b/-Quelles devront être les limites de V1 pour que la condition V2 = constante soit réalisée ? BP 33 384 Yaoundé, Awaé-escalier, Tél : 33 01 32 33 / 99 36 13 26 Site : www.ift ic-sup.net email : contact@ift ic-sup.net SEMESTRIELS I 2019 TR1 Sujet 2 EPREUVE D’ELECTRONIQUE Durée 2H I/- QUESTIONS DE COURS 1/-a- s’agissant de la diode, définissez : - Tension de seuil - Résistance statique Donnez la valeur de la tension de seuil d’une diode au germanium. b- A quoi sert la droite de charge ? Et que caractérise le point de repos d’un système ? 2/-Représenter par deux schémas annotés les tensions et courants dans un transistor NPN et un transistor PNP PROBLEMES I/- Un courant en dent de scie dont la figure est représentée ci-dessous a une valeur maximale de 2A. i Imax t Déterminer sa valeur moyenne, sa valeur efficace, son facteur de forme et son taux d’ondulation. Quelle est la valeur efficace de la composante alternative ? INSTITUT SUPERIEUR DE FORMATION AUX METIERS DES TELECOMMUNICATIONS, DE L’INNOVATION TECHNOLOGIQUE, DE COMMERCE ET DE GESTION BP 33 384 Yaoundé, Awaé-escalier, Tél : 243 01 32 33 / 699 36 13 26 Site : www.iftic-sup.net email : contact@iftic-sup.net Année académique 2018-2019 ELECTRONIQUE 3 Soit le schéma ci-après : D R e e e On donne e = 6 sinωt R = 0,6Ω On admet que la caractéristique de la diode est la suivante : Id( A) Idmaxi = 9A …………… Uinvemax = 60V Vd (V) 0 VS = 0,6V 1/- donnez l’équation de la droite de charge 2/-Calculez les valeurs extrêmes d’intersection avec les axes Vd et Id 3/-Représentez sur la caractéristique de la diode les valeurs extrêmes de la droite de charge 4/- Si la résistance ne fait que 0,2Ω que devient la diode ? INSTITUT SUPERIEUR DE FORMATION AUX METIERS DES TELECOMMUNICATIONS, DE L’INNOVATION TECHNOLOGIQUE, DE COMMERCE ET DE GESTION BP 33 384 Yaoundé, Awaé-escalier, Tél : 243 01 32 33 / 699 36 13 26 Site : www.iftic-sup.net email : contact@iftic-sup.net Année académique 2018-2019 EXAMENS DU SEMESTRE 1 EPREUVE D’Electricité TR1 EXERCICE 1 2/-Une pile de force électromotrice E volts et de résistance intérieure négligeable débite sur un circuit composé de deux résistances en série R et r ohms. E R r ρ 1/-calculer en fonction de E, r et R la différence de potentiel U aux bornes de la résistance r. 2/-pour mesurer la différence de potentiel précédente, on place en dérivation aux bornes de la résistance r un voltmètre dont la résistance intérieure est ρ ohms. Calculer en fonction de E, r, R et ρ quelle sera l’indication U’ du voltmètre. 3/- Calculer la valeur du rapport U/U’. En déduire la condition à laquelle doit satisfaire la résistance ρ du voltmètre si l’on veut que l’erreur relative U – U’ à laquelle donne lieu la mesure précédente soit inférieure à 1/1000. U Application numérique : R = 30Ω. r = 20Ω EXERCICE 2 Soit le circuit ci-dessous : I1 I2 I R1 R2 R E1 E2 On donne R1 = 0,03Ω, R2 = 0,02Ω, R= 6Ω E1 = 6,3V, E2 = 4,2V. Calculer I1, I2, I. Pouvait-on appliquer d’autres méthodes en dehors de la votre pour effectuer ces calculs ? Si oui citer les. INSTITUT SUPERIEUR DE FORMATION AUX METIERS DES TELECOMMUNICATIONS, DE L’INNOVATION TECHNOLOGIQUE, DE COMMERCE ET DE GESTION BP 33 384 Yaoundé, Awaé-escalier, Tél : 243 01 32 33 / 699 36 13 26 Site : www.iftic-sup.net email : contact@iftic-sup.net Année académique 2018-2019 EXAMENS DU SEMESTRE 1 EPREUVE D’Electricité TR1 EXERCICE 1 Soit le circuit ci-dessous : I1 I2 I R1 R2 R E1 E2 On donne R1 = 0,03Ω, R2 = 0,02Ω, R= 6Ω E1 = 6,3V, E2 = 4,2V. Calculer I1, I2, I. Pouvait-on appliquer d’autres méthodes en dehors de la votre pour effectuer ces calculs ? Si oui citer les. Exercice 2 on place entre les bornes A et B d’une pile un voltmètre V de grande résistance interne. Ce voltmètre donne une lecture E. On place alors entre A et B une résistance R. L’indication du voltmètre devient U. 1/-Calculer la valeur de la résistance intérieure r de la pile. 2/-Calculer en fonction de U et R ce que sera l’indication U’ du voltmètre si on place entre A et B une nouvelle uploads/Management/ epreuves-ambi 2 .pdf