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Photo resistance 1 Photorésistance Cet article ne cite pas su ?samment ses sources octobre Si vous disposez d'ouvrages ou d'articles de référence ou si vous connaissez des sites web de qualité traitant du thème abordé ici merci de compléter l'article en d

Photorésistance Cet article ne cite pas su ?samment ses sources octobre Si vous disposez d'ouvrages ou d'articles de référence ou si vous connaissez des sites web de qualité traitant du thème abordé ici merci de compléter l'article en donnant les références utiles à sa véri ?abilité et en les liant à la section Notes et références ? En pratique Quelles sources sont attendues Comment ajouter mes sources Photorésistance Une photorésistance également appelée résistance photo-dépendante ou cellule photoconductrice est un composant électronique dont la résistivité varie en fonction de la quantité de lumière incidente plus elle est éclairée plus sa résistivité baisse Sommaire masquer Principe o Géométrie du semi- conducteur o Circuit de conditionnement Co Bruits Positionnement dans le paysage des capteurs optiques o Avantages o Inconvénients Applications Notes et références Voir aussi o Articles connexes o Liens externes o Bibliographie Principe modi ?er modi ?er le code Une photorésistance est composée d'un semi-conducteur à haute résistivité Si la lumière incidente est de fréquence su ?samment élevée donc d'une longueur d'onde inférieure à la longueur d'onde seuil elle transporte une énergie importante Au-delà d'un certain niveau propre au matériau les photons absorbés par le semi-conducteur donneront aux électrons liés assez d'énergie pour passer de la bande de valence à la bande de conduction La compréhension de ce phénomène entre dans le cadre de la théorie des bandes Les électrons libres et les trous d'électron ainsi produits abaissent la résistance du matériau Lorsque le photon incident est su ?samment énergétique la production des paires électron-trou est d ? autant plus importante que le ux lumineux est intense La résistance évolue donc comme l ? inverse de l ? éclairement Cette relation peut être modélisée par la relation suivante Les matériaux utilisés dans les photorésistances sont le plus souvent des composés des colonnes II-VI de la classi ?cation périodique des éléments Pour une utilisation dans le domaine visible et à faible coût on utilise le plus souvent le sulfure de cadmium CdS ou le séléniure de cadmium CdSe Pour des utilisations dans l'infrarouge on utilise le sulfure de plomb PbS Géométrie du semi-conducteur modi ?er modi ?er le code Principe d'une photorésistance Géométrie optimale ruban Pour conserver la conduction il faut limiter le nombre de recombinaisons des paires électron-trou La surface réceptrice du ux lumineux est un ruban Cette forme minimise la largeur séparant les électrodes et les laissent en contact avec le ruban sur une grande surface C ? est cette con ?guration qui donne la résistance la plus faible Seules les photorésistances utilisées sous haute tension sont constituées d ? un ruban large En e ?et le courant traversant la photorésistance s'écrit Dans cette expression C q est la charge de l ? électron ? est la mobilité de l ? électron n est la densité d ? électrons présents A est l ? aire de la surface de contact entre les électrodes et la zone photosensible L est la largeur du ruban On constate que pour augmenter cette intensité il